中日合作研制出氮化硼纳米管
发布时间:2005/7/27 19:20:03
中科院物理所微加工实验室与日本物质材料研究机构合作,近日采用化学气相沉积法获得了N型的氮化硼半导体纳米管。
氮化硼作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性,是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性,它能够诱导其半导体特性。对氮化硼纳米管结构进行的系统表征检测证明,这是一种稳定的掺杂结构。研究人员发现F掺杂实现了氮化硼纳米管从绝缘体向半导体的转变,低于5%的F掺杂浓度使氮化硼纳米管的电导提高3个数量级以上。这一结果为采用该材料制作纳米电子器件的研究奠定了基础。
郑重声明:以上信息由企业自行发布,该企业负责信息内容的完整性、真实性、准确性和合法性。本网站对此不承担任何责任。
最新政策与新闻
最新供应
自动配料混料输送系统
洗地机
凸轮轴测量仪
脉冲光纤激光标记机
CopyRight ©2018 杭州极点科技有限公司 All Rights Reserved.
地址:杭州市下城区西文街水印康庭1幢西楼4楼
服务热线:0571-85132819 / 85235193传真:0571-85235193
联盟网站:中国粉末冶金商务网 中国硬质合金商务网 中国粉末冶金人才网粉末冶金书库中国注射成形网
友情链接:金属注射成形 粉末冶金企业名录 粉末冶金会议
免责声明:本网发布此信息的目的在于传播更多信息,与本站立场无关。本网不保证该信息(包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表)全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关信息并未经过本网站充分证实,不对您构成任何建议,据此操作,风险自担。