电工研究所研制出27.2T世界第二高磁场超导磁体

发布时间：2017/12/20 0:04:36

近日，中国科学院电工研究所超导磁体及强磁场应用研究部王秋良团队采用自主研发的高温内插磁体技术研制的超导磁体产生了27.2T的中心磁场，这是由全超导磁体产生的世界第二高磁场。*高磁场由日本理化技术研究所于2016年1月创造，测试结果为27.6T。

与其它高温超导带材制作的内插超导磁体相比，REBCO超导体因其抗拉伸强度高和高磁场下优异的载流特性，使得它适宜于绕制极高场超导磁体，但ReBCO带材的结构是层状的，在极高场条件下由于应力集中可能会出现分层的现象，导致磁体损伤，不能稳定运行。

王秋良团队致力于研究极高场内插磁体技术研究。针对ReBCO极高场内插磁体的应力集中问题，相继采用特制的绑扎装置对磁体外层导线予以保护，调整内插磁体线圈的分层结构降低REBCO导线上的应力水平，并利用分级设计的方式提高内插磁体的安全裕度等技术方式，使内插磁体的运行裕度得以大幅提高。自2017年5月11日获得25.7T全超导磁体，使我国成为世界上第四个实现25T以上全超导磁体技术的国家后，此次研制的高磁场超导磁体经液氦条件测试，内插线圈运行电流达到169.2A时，在15T的超导背场中产生了12.2T的中心磁场，实现了27.2T全超导磁体的稳定运行。这也是目前超导磁体稳定运行的*高磁场。

27.2T极高场全超导磁场的实现，标志着我国高场内插磁体技术已处于世界*水平，为后续研制30T高场科学装置和GHz级别的谱仪磁体奠定了基础。

此项目获得了中科院前沿科学重点研究项目“极端物理条件的超导强磁装备的基础研究”，以及国家自然科学基金面上项目“高磁场内插多场耦合与临界参量退化机理研究”和“极高场无绝缘内插REBCO线圈失超后性能退化及应力集中问题研究”的资助。

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